آزمایشهای زیادی در طول سالیان برای دستیابی به راهحل محاسباتی درونحافظهی کارآمدتر و عملیتری انجام شده و در حالیکه راهحلهای دیگری تا به امروز با استفاده از انواع جایگزین رم مانند PRAM یا RRAM به وجود آمدهاند، محاسبات درونحافظهای MRAM هنوز در حد تئوری شناخته میشود؛ اما به گزارش Phonearena و به تأیید
سامسونگ، بالأخره این شرکت موفق شد اولین نمونهی اولیه از این فرایند را به وجود آورد.اکثر دستگاههای محاسباتی که روزانه استفاده میشوند مانند گوشیهای هوشمند و کامپیوترها، از حافظهی DRAM یا حافظهی تصادفی پویا بهعنوان حافظهی اصلی استفاده میکنند؛ این نوع حافظه پویا و فرار است و تنها تا زمانی که دستگاه روشن باشد و جریانی از آن عبور کند، اطلاعات را ذخیره میکند و برای حفظ دادهها این اطلاعات باید بهطور مداوم بازنویسی شوند.از سوی دیگر MRAM یا حافظهی دسترسی تصادفی مقاومتی مغناطیسی، نوعی حافظه با دسترسی تصادفی غیرفرار است که بیتهای دادهها را به جای بارهای الکتریکی در بارهای مغناطیسی و حتی بدون عبور جریان الکتریکی ذخیره میکند.با وجود ماهیت غیرفرار MRAM، سرعت عملیاتی بالا و استقامت، استفاده از آن برای محاسبات درون حافظهای به دلیل مقاومت کم آن دشوار بود و استفاده از مزیّت بهرهوری توان MRAM در معماری محاسباتی درون حافظهای استاندارد نیز غیر
ممکن بود.حالا سامسونگ با نوآوری و ارائهی معماری جدیدی، راهحلی برای این مشکل ایجاد کرده است. این شرکت کرهای با توسعهی تراشهی آرایه MRAM به جای استاندارد رایج امروزی از «مجموع مقاومت» استفاده میکند. راهحل جدید سامسونگ با مشکل مقاومتهای کوچک هر دستگاه MRAM مقابله میکند.جذابیت و مزیّت اصلی محاسبات درون حافظهای، امکان ص The World Of Computers And Technology...
ادامه مطلبما را در سایت The World Of Computers And Technology دنبال می کنید
برچسب : نویسنده : h-pourrajabio بازدید : 173 تاريخ : چهارشنبه 27 بهمن 1400 ساعت: 15:33